| 三星电子突破D-RAM 50纳米级技术难关 |
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| 2007-01-05 09:37 文章来源：丁亚东 |
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掌握50兆韩元的市场主导权<2008年~2011年>
三星电子研发的50纳米级1G的内存D-RAM，将意味着其继续占据着内存半导体领域的领先地位。
l 引领D-RAM的再度辉煌
从2000年应用150纳米技术于D-RAM至今，三星电子的纳米D-RAM技术已经连续7代占领了世界最领先技术的地位。去年开发的60纳米D-RAM得到了英特尔的认证，现又申报了与50纳米级技术开发相关的50项专利。此次研发的50纳米级技术比起80纳米级技术要领先3代，生产率要高2倍；比起60纳米工程生产率要高55%。
三星电子常务全俊英指出，50纳米级技术有着高速度运作、超强数据储存能力以及节能等特点，能应用于大容量个人电脑内存、平板内存以及移动内存的扩大上。
三星电子预测，2008年，50纳米1G的D-RAM投产后，将会创出年50亿美元的市场销量，而到2009年将达到250亿美元。
l 50纳米1G的D-RAM是尖端技术的结晶
三星电子应用结合了‘RCAT’和‘SEG’两种三维晶体管结构，研发出了这次50纳米级的D-RAM。RCAT技术是2003年研发的以三维构造制作的D-RAM晶体管，由于晶体管面积的缩小，集约度也大大地提高。从90纳米级产品开始一直采用该项技术。
而 SEG技术则是从本次50纳米产品开始应用的能改善电荷移动速度以及实现低电力驱动的最尖端技术。
D-RAM达到50纳米级以下后，随着回路构造的密集化和CELL面积的缩小，要获得消磁驱动所需的电荷量就变得困难。三星电子为了解决这种问题，在储存电荷的带电膜质上采用了一种叫“复合带电层”的新素材，确保了D-RAM驱动所需电荷量的获取。
韩国《每日经济》
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